تأثير الضغط ودرجة الحرارة على خواص نقطة كمية من (GaAs)منفردة في مجال مغناطيسي

Year: 
2016
Discussion Committee: 
ا.د محمد السعيد/مشر فا رئيسا
د.خالد عليوي/ مشرفا ثانيا
د.عاطف قصراوي/ممتحنا خارجيا
أ.د. غسان السفاريني/ممتحنا داخليا
Supervisors: 
ا.د محمد السعيد/مشرفا رئيسا
د.عاطف قصراوي/ممتحنا خارجيا
Authors: 
فاتن ماهر بزور
Abstract: 
في هذا العمل تم حساب طاقة المستويات لنقطة كمية من (GaAs) تحت تأثير الضغط الخارجي ودرجة الحرارة والمجال المغناطيسي. تم الحصول على القيم المميزة من خلال حل دالة هاملتون لزوج من الالكترونات في نقطة كمية باستخدام طريقة القطر.(Diagonalization) اظهرت النتائج المحسوبة في هذا العمل ان طاقة المستويات للنقطة الكمية تعتمد بشدة على الضغط ودرجة الحرارة. وقد وجدنا أن طاقة المستويات تزداد بزيادة الضغط عند ثبات درجة الحرارة والمجال المغناطيسي وأن طاقة المستويات تقل بزيادة درجة الحرارة وثبات الضغط والمجال المغناطيسي . وقد قمنا أيضا بحساب منحنى الطور الأحادي-الثلاثي للنقطة الكمية. بالاضافة إلى ذلك, قمنا بالتحقق من تأثير الضغط على طاقة الصرف(exchange energy) لنقطة كمية في مجال مغناطيسي. وتظهر المقارنة أن نتائجنا على اتفاق جيدجدا مع النتائج المنشورة.
Full Text: 
Pages Count: 
58
الحالة: 
Published