دراسة أولية للخصائص الالكترونية والتركيبية وادراسة أولية للخصائص الالكترونية والتركيبية والمغناطيسية للمخلوط الثلاثي Ga1-× Fe× Nلمغناطيسية للمخلوط الثلاثي Ga1-× Fe× N

نقدم في هذه الأطروحة حساب الخصائص المغناطيسية والالكترونية والتركيبيةللمخاليط المغناطيسية Ga1-xFexN في حالة التركيب البلوري زنك بلند لتركيز x= (0, 0.25, 0.50, 0.75, 1) وذلك باستخدام طريقة الموجات المستوية المعدلة الخطية لجهد تام (FP-LAPW) . لقد تم استخدام تقريب الكثافة المغزلية الموضعية (LSDA) وتقريب الميل الاتجاهي المعمم (GGA) للجهد التبادلي الترابطي. البرنامج المستخدم في حساباتنا هو (WIEN2K-code) وهو برنامج خاص مكتوب بلغة فورتران 90 (Fortran 90) على نظام التشغيل لينكس (Linux). لقد درسنا تطور البنية لحزم الطاقة والعزم المغناطيسي واعتمادها على ثابت الشبكة للمركب نترات الحديد FeN والمخلوط الثلاثي Ga1-xFexN. أظهرت الدراسة الحالية بأن المركب GaN ذو فجوة طاقة مباشرة مقدارها 1.9 الكترون فولت(г-г) وفجوة طاقة غير مباشرة مقدارها 3.2658الكترون فولت(г-x)  وهو مادة شبه موصلة ولا يمتلك الخصائص المغناطيسية في التركيب البلوري الحالي. تم الحصول على فجوة طاقة متباينة للمخلوط الثلاثي Ga1-xFexN وتبين بأنها تعتمد على تركيز مادة الحديد Fe. لا يوجد عزم مغناطيسي لمركب نترات الحديد FeN عند حالة الاتزان الحجمي، ولكن العزم المغناطيسي للمخلوط Ga1-xFexNيعتمد مقداره على نسبة تركيز الحديد فهو يتزايد من التركيز x=0 الىx=0.5 ثم يتناقص الى التركيز x=1. وجد أن قيمة ثابت الشبكة (lattice constant) وكذلك العزم المغناطيسي للمخلوط Ga1-xFexN اكبر باستخدام التقريب (GGA) بالمقارنة مع ما وجد باستخدام التقريب (LSDA) والعكس لمعامل الصلابة (Bulk modulus).